أعلنت شركة سامسونج للإلكترونيات رسميًا أنها أطلقت إنتاجًا ضخمًا لرقائق بدقة 3 نانومتر، لتصبح أول شركة تقوم بذلك على مستوى العالم. وبالتالي فهي تقطع البساط من تحت أقدام شركة TSMC، منافسها الرئيسي.
أعلنت شركة Samsung Foundry أخيرًا أنها بدأتالإنتاج الضخم لرقائق الجيل الأول على عقدة 3 نانومتر. هم على أساسبنية الترانزستور GAA (البوابة الشاملة) الجديدةوالذي يشكل الخطوة التالية بعد FinFET الشهير. تسمح البوابة الشاملة للمؤسس بتقليل حجم الترانزستورات، دون الإضرار بقدرتها على حمل التيار. من جانبها، ستتخلى TSMC نهائيًا عن FinFET لصالح GAA عندما تبدأ في الشحنرقائق 2 نانومتر في عام 2026.
تدعي سامسونج أن عملية التصنيع الجديدة أكثر كفاءة بنسبة 45% من حيث استهلاك الطاقة مقارنة بعملية التصنيع السابقة التي تبلغ 5 نانومتر، وأكثر كفاءة بنسبة 23% ولها مساحة سطح أصغر بنسبة 16%. وفي المستقبل، تأمل سامسونج أن يتمكن الجيل الثاني من عملية 3 نانومتر من تحقيق ذلكتقليل استهلاك الطاقة والحجم بنسبة 50% و35% على التوالي، وزيادة الأداء بنسبة 30%.
ما هي أول رقائق محفورة في 3 نانومتر؟
وقالت سامسونج إن هذه العملية الجديدة ستُستخدم من أجل "حوسبة عالية الأداء ومنخفضة الطاقة"، وستصل المعالجات المحمولة لاحقًا. في سوق الهواتف الذكية، نتخيل ذلكأول شريحة تقدم مثل هذا النقش الدقيق ستكون Snapdragon 8 Gen 2التي ستقدمها شركة كوالكوم في نوفمبر المقبل، والتي ستجهز بها معظم الأجهزة المتطورة في عام 2023. ونحن نعلم ذلكيجب أن تبدأ TSMC في إنتاج شرائح Apple M3 التالية لأجهزة MacBooks لعام 2023 بنقش 3nm، قبل أن تكونتم اعتماده لاحقًا بواسطة شريحة A17 لجهاز iPhone 15.
يثبت وصول شرائح 3nm إلى السوق أن سامسونج تعتزم مواصلة التنافس مع منافستها التاريخية TSMC. وفي الشهر الماضي، أعلنت سامسونج أنها تخطط لذلكإنفاق 355 مليار دولار على مدى السنوات الخمس المقبلةفيما تسميه أعمالها الإستراتيجية، والتي تشمل أشباه الموصلات.
مصدر :سامسونج