أصدرت شركة Samsung عدة إعلانات مهمة يوم الأربعاء الموافق 20 ديسمبر 2017. بدأت الشركة الكورية الجنوبية في الإنتاج الضخم لشرائح ذاكرة الوصول العشوائي DDR4 بسعة 8 جيجا بايت و10 نانومتر لأجهزة الكمبيوتر الشخصية لعام 2018، ولكن هذا ليس كل شيء. كما تعلن العملاق الآسيوي أنها تكثف جهودها لتصنيع رقاقات ذاكرة الوصول العشوائي LPDDR5 للهواتف الذكية في المستقبل.
في مثل هذا اليوم الاربعاء 20 ديسمبر 2017مأعلنت شركة سامسونج أنها أطلقت الإنتاج الضخم لشرائح ذاكرة الوصول العشوائي DDR4 بسعة 8 جيجابايت10 نانومتر من الجيل الثاني، بعد مرور عام على الجيل الأول. هذه الرقائق هي الأصغر في العالم، وسيتم استخدامها بشكل أساسي لأجهزة الكمبيوتر المكتبية وأجهزة الكمبيوتر المحمولة اعتبارًا من عام 2018. ومع ذلك، فإن التكنولوجيا التي تعتمد عليها سيتم استخدامها أيضًا للمعايير المستقبلية LPDDR5 وDDR5 وHBM3 وGDDR6 في المستقبل القريب.
بعد أن أطاحت بشركة إنتل في بداية العام في سوق تصنيع الرقائق، يبدو أن سامسونج عازمة على مواصلة ابتكاراتها من أجل الجلوس على العرش بشكل دائم. لذلك، بعد الإعلان عن الإنتاج الضخم لـشرائح تخزين بسعة 512 جيجابايت للهواتف الذكية المستقبلية لعام 2018تعترف سامسونج اليوم بأنها تكثف جهودها لإنتاج وتسويق شرائح ذاكرة الوصول العشوائي LPDDR5 للهواتف الذكية التي تعمل بنظام أندرويد بدءًا من عام 2019.
تخطط سامسونج لإطلاق شرائح ذاكرة الوصول العشوائي LPDDR5 للهواتف الذكية لعام 2019
ستجلب رقائق ذاكرة الوصول العشوائي (RAM) من الجيل التالي نفسًا من الهواء النقي إلى صناعة الهواتف المحمولة. سيقدمون أمكاسب الأداء حوالي 10٪مقارنة برقائق LPDDR4. وعلى نحو مماثل، عندما يتعلق الأمر بكفاءة استخدام الطاقة، فإن المكاسب سوف تبلغ 15% على الأقل. فيما يتعلق بالسرعة الخالصة، فإن القفزة بالتأكيد لن تكون كبيرة كما هي الحال عند الانتقال من DDR3 إلى DDR4.
وبين هذين الجيلين، تضاعفت سرعة نقل البيانات. ومع ذلك، يمكن أن يجعل LPDDR5 من الممكن الانتقال من 3200 ميجابت في الثانية إلى 3600 ميجابت في الثانية. ومن خلال الجمع بين هذه التحسينات الطفيفة مع مكاسب الأداء التي توفرها معالجات المستقبل، يمكننا التنبؤ بزيادة مذهلة في قوة الهواتف الذكية لعام 2019انتظر بصبر لجهاز Galaxy S10…